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產(chǎn)品展示
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TLP試驗機介紹

  • 發(fā)布日期:2021-12-23      瀏覽次數(shù):1354
    • TLP試驗機介紹

      TLP的目的

      TLP是Transmission Line Pulse的縮寫,當(dāng)存儲在同軸電纜中的電荷被發(fā)射時,得到方波。
      該特性可用于調(diào)查IC的保護(hù)電路特性。
      重要的一點是方波的上升時間。保護(hù)電路的特性隨上升時間的變化而變化。因此,作為該器件的一個點,可以將上升時間從高速變?yōu)榈退偈呛苤匾摹?/span>
      作為目標(biāo)上升,希望實現(xiàn)比200ps更快的高速上升。

      2.TLP理論

      TLP 波形采集方法 TLP 波形采集方法
      主要有三種。
      (1) TDR (Time Domain Refraction )
          使用DUT反射的波形的方法
      (2) TDT (Time Domain Transmission)
          如何確定通過DUT的波形
      (3) TDTR (Time Domain Transmission and Refraction) )
          以上兩種類型都使用。

      圖 1 顯示了 TDR 方法。

      TLP01

      電壓波形通過在放電通路上直接連接示波器來確認(rèn),電流波形通過在放電通路上插入電流探頭來確認(rèn)。
      在 TDT 方法中,圖 1 中的示波器和 DUT 的位置是相反的。
      在TLP測試中,可以通過使用濾波器來改變上升時間,但脈沖寬度取決于充電同軸電纜的長度。

      圖 2 顯示了 TLP 的電路配置。

      TLP02

      T=2 L1/VT為脈寬(ns),L1為同軸電纜長度(mm)

            V=2.0×10^8m/s(例)當(dāng)L1=20(m)T=200(ns)

      TLP03

      圖 3 是入射到 DUT 并被*消耗時的波形,可以用圖 2 中的電壓表(示波器)確認(rèn)。
      考慮到L2長10mm、DUT短的情況,分別確認(rèn)入射波和反射波時的波形如圖4左圖所示。

      可以用電壓表確認(rèn)的波形如圖4右側(cè)所示。

      TLP04

      同樣,可以用電流表(電流探頭)確認(rèn)的波形如圖 5 右側(cè)所示。


      TLP05


      它是一種模擬保護(hù)電路工作特性的裝置。
      它對于收集和分析內(nèi)置于集成電路中的保護(hù)電路的工作參數(shù)非常有用。
      VFTLP 測試也是可能的。

      產(chǎn)品名稱/型號設(shè)備描述目錄電影

      HED-T5000 / T5000VF
      HED-T5000
      HED-T5000VF

      配備先進(jìn)的測試模式。我們有一個正常測試,應(yīng)用脈沖寬度為 100 ns / 200 ns,以及一個 VFTLP(非常快速 TLP)測試模式,應(yīng)用寬度減少到 1 ns。
      它對于驗證具有 ESD 電阻的 HBM / CDM 測試很有用。您可以使用標(biāo)準(zhǔn)示波器檢查設(shè)備引腳的入射波和設(shè)備引腳的反射波。
      該數(shù)據(jù)被保存并顯示在監(jiān)視器上。可以在監(jiān)視器上跟蹤入射/反射波的總值、回彈特性、通過 Vf/Im 測量的泄漏測量值等。
      來自示波器的存儲數(shù)據(jù)允許算術(shù)處理的高度自由。例如,您可以通過在工藝發(fā)生變化的晶體管的導(dǎo)通電壓和可通過保護(hù)電路的電流值上疊加跡線來檢查差異。
      它還可以連接到半自動探測器以自動執(zhí)行 TLP 測試。
      由于可以在Wafer上的應(yīng)用引腳和芯片之間進(jìn)行自動移位和自動測量,因此大大提高了測試效率。


      點擊


      HED-T5000-HC
      HED-T5000-HC

      目前,對高集成度、高頻率和高耐壓的器件的需求日益增加。
      該設(shè)備可以測量傳統(tǒng)TLP無法覆蓋的高壓和大電流特性,有助于獲取和分析高壓元件的運行參數(shù)。




    聯(lián)系方式
    • 電話

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    在線交流