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真空蒸鍍裝置VE-2013的原理分析

  • 發(fā)布日期:2024-04-12      瀏覽次數(shù):225
    • 真空蒸鍍裝置VE-2013的原理分析


      真空鍍膜是指在高真空條件下,利用各種物理或化學方法將靶材表面氣化或 電離,再沉積到基底表面形成薄膜。真空鍍膜技術分為物理氣相沉積(PVD)和化 學氣相沉積(CVD)。物理氣相沉積法主要分為真空蒸發(fā)鍍膜、真空濺射鍍膜、真 空離子鍍膜。在鈣鈦礦層制備中,主流使用方法為蒸發(fā)鍍膜,簡稱蒸鍍法。 

      1)蒸發(fā)鍍膜:真空條件下,通過電阻加熱、電子束轟擊等方法使鍍料靶材受 熱蒸發(fā),靶材分子逸出,從鍍料遷移到基片表面,沉積形成薄膜。 

      2)濺射鍍膜:真空條件下,向裝置內(nèi)充入氬氣(Ar),高電壓下氬氣輝光放 電,電離的氬離子在電場力作用下加速轟擊放置在陰極的靶材,被濺射出的靶材分 子沉積在基片表面形成薄膜。 

      3)離子鍍膜:真空條件下,通過等離子體電離技術離化鍍料靶材,靶材分子 部分電離。基片外接高壓負極。在深度負偏壓下靶材分子向基片運動,沉積到基片 表面形成薄膜。 

      圖片

      VE-2013

      VE-2013是一款簡單的真空蒸鍍裝置,繼承了VE-2030(我公司制造)的概念。外殼內(nèi)置TMP,實現(xiàn)緊湊外殼。由于是臺式機,所以不會占用太多空間。RP 放置在地板上。
      我們使用緊湊的 TMP+RP 排氣系統(tǒng)以低廉的價格提供清潔、高真空的蒸發(fā)系統(tǒng)。它消除了復雜的排氣操作,只需觸摸面板開關的ON/OFF控制即可實現(xiàn)全自動。
      使用鎢籃可以沉積金、鋁、鉻、銀等。碳蒸鍍采用夾具蒸鍍槍型,使用特殊碳( 
      SLC-30 )進行蒸鍍。(不能使用φ5mm碳棒。)

      購買時,您可以選擇碳氣相沉積電極或金屬氣相沉積電極。可以選擇購買額外的電極。

      碳蒸發(fā)電極

      這是專用的碳蒸發(fā)電極。
      它可以在高真空區(qū)域進行碳蒸發(fā),從而可以形成具有優(yōu)異膜質量和膜強度的碳膜。
      附帶的防塵蓋將碳蒸氣沉積的散射范圍降至必要的低限度,從而減輕了清潔的負擔。
      使用特種碳(SLC-30)作為積碳源。
      金屬蒸鍍電極

      這是直徑0.5mm鎢籃專用的金屬蒸鍍電極。
      可以輕松簡便地進行金、鋁、鉻等的氣相沉積。隨附的防塵蓋可最大限度地減少沉積區(qū)域并減輕清潔負擔。

      主要產(chǎn)品規(guī)格

      物品規(guī)格
      電源AC100V(單相100V15A)
      設備尺寸寬428mm,深430mm,高550mm
      (設備重量38kg)
      旋轉泵(外部)抽速50?/min (G-50DA)
      (重量11kg)
      渦輪泵(內(nèi)置裝置)排氣速度67?/秒
      樣品臺直徑72毫米
      氣相沉積源-樣品臺距離可調(diào)范圍:0mm 至 140mm



    聯(lián)系方式
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