真空蒸鍍裝置VE-2013的原理分析
真空鍍膜是指在高真空條件下,利用各種物理或化學方法將靶材表面氣化或 電離,再沉積到基底表面形成薄膜。真空鍍膜技術分為物理氣相沉積(PVD)和化 學氣相沉積(CVD)。物理氣相沉積法主要分為真空蒸發(fā)鍍膜、真空濺射鍍膜、真 空離子鍍膜。在鈣鈦礦層制備中,主流使用方法為蒸發(fā)鍍膜,簡稱蒸鍍法。
1)蒸發(fā)鍍膜:真空條件下,通過電阻加熱、電子束轟擊等方法使鍍料靶材受 熱蒸發(fā),靶材分子逸出,從鍍料遷移到基片表面,沉積形成薄膜。
2)濺射鍍膜:真空條件下,向裝置內(nèi)充入氬氣(Ar),高電壓下氬氣輝光放 電,電離的氬離子在電場力作用下加速轟擊放置在陰極的靶材,被濺射出的靶材分 子沉積在基片表面形成薄膜。
3)離子鍍膜:真空條件下,通過等離子體電離技術離化鍍料靶材,靶材分子 部分電離。基片外接高壓負極。在深度負偏壓下靶材分子向基片運動,沉積到基片 表面形成薄膜。
VE-2013是一款簡單的真空蒸鍍裝置,繼承了VE-2030(我公司制造)的概念。外殼內(nèi)置TMP,實現(xiàn)緊湊外殼。由于是臺式機,所以不會占用太多空間。RP 放置在地板上。
我們使用緊湊的 TMP+RP 排氣系統(tǒng)以低廉的價格提供清潔、高真空的蒸發(fā)系統(tǒng)。它消除了復雜的排氣操作,只需觸摸面板開關的ON/OFF控制即可實現(xiàn)全自動。
使用鎢籃可以沉積金、鋁、鉻、銀等。碳蒸鍍采用夾具蒸鍍槍型,使用特殊碳( SLC-30 )進行蒸鍍。(不能使用φ5mm碳棒。)
購買時,您可以選擇碳氣相沉積電極或金屬氣相沉積電極。可以選擇購買額外的電極。
主要產(chǎn)品規(guī)格
物品 | 規(guī)格 |
電源 | AC100V(單相100V15A) |
設備尺寸 | 寬428mm,深430mm,高550mm (設備重量38kg) |
旋轉泵(外部) | 抽速50?/min (G-50DA) (重量11kg) |
渦輪泵(內(nèi)置裝置) | 排氣速度67?/秒 |
樣品臺 | 直徑72毫米 |
氣相沉積源-樣品臺距離 | 可調(diào)范圍:0mm 至 140mm |