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日本napson非接觸型超低電阻范圍的電阻測量

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更新日期:2024-03-17

簡要描述:

日本napson非接觸型超低電阻范圍的電阻測量PVE-80
非接觸型(脈沖電壓激勵法)超低電阻范圍的電阻測量系統
由于是使用脈沖電壓激勵法作為測量原理的非接觸電阻測量系統,因此可以在不損壞樣品的情況下進行測量。

日本napson非接觸型超低電阻范圍的電阻測量

日本napson非接觸型超低電阻范圍的電阻測量PVE-80

產品特點

  • 由于是使用脈沖電壓激勵法作為測量原理的非接觸電阻測量系統,因此可以在不損壞樣品的情況下進行測量。

  • 節省空間的設計主體外殼,便攜式可移動平臺

  • 通過PC(軟件)進行簡單的測量操作,數據存儲和管理

  • 測量顯示單元可以根據應用(薄層電阻,電導率,電導率)進行更改

    *本產品使用由我公司與千葉大學聯合開發的脈沖電壓激勵方法(專li號5386394)。

測量規格

測量目標

與新材料/功能材料相關(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)與
導電薄膜相關(金屬,ITO等)
與化合物半導體相關(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
其他(*查詢)請給我)

測量尺寸

?A4尺寸(W300 x D210mm)

測量范圍

50μ?1mΩ/平方

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