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日本napson非接觸渦流法薄層電阻測量裝置

訪問次數:1224

更新日期:2024-03-17

簡要描述:

日本napson非接觸渦流法薄層電阻測量裝置NC-10(NC-20)
可通過個人計算機輕松操作的非接觸(渦流法)電阻/薄層電阻測量裝置

日本napson非接觸渦流法薄層電阻測量裝置

日本napson非接觸渦流法薄層電阻測量裝置NC-10(NC-20)

產品特點

  • 使用個人計算機節省空間,易于操作和數據處理
  • 由于它是一種非接觸式渦流方法,因此可以進行測量而不會損壞它。
  • 由于探頭是可拆卸和可更換的,因此可以方便地用每個量程的探頭進行替換。
  • (*對第二個和后續電阻探頭的可選支持)
  • 中心1點測量
  • 厚度/溫度補償功能(硅晶片)

測量規格

測量目標

半導體/太陽能電池材料相關(硅,多晶硅,SiC等)
 新材料/功能材料相關(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)
 導電薄膜相關(金屬,ITO等)
 硅基外延,離子與
 半導體相關的進樣樣品化合物(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
 其他(*請與我們聯xi)

測量尺寸

3-8英寸?156 x 156毫米
(可選; 2英寸或12英寸?210 x 210毫米)

日本napson非接觸渦流法薄層電阻測量裝置NC-10(NC-20)

測量范圍

[電阻] 1m至200Ω·cm
(*所有探頭類型的總范圍/厚度500um)
[板電阻] 10m至3kΩ / sq
(*所有探頭類型的總范圍)

*有關每種探頭類型的測量范圍,請參閱以下內容。
(1)低:0.01至0.5Ω/□(0.001至
0.05Ω- cm)(2)中:0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-cm)
(3 ))高:10至1000Ω/□(0.5至60Ω-??cm)
(4)S-高:1000至3000Ω/□(60至200Ω-cm)

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